西部数据公布新型闪存:更低的延迟,但价格贵三倍

2019-3-13 12:20  |  作者:唐裕之   |  关键字:西部数据,SSD,LLF

西部数据在收购闪迪、联手东芝后,在闪存芯片研发上取得了很多进展。在最近西部数据在Storage Field Day上透漏了其正在研发一种低延迟闪存芯片,以占领目前NAND闪存和DRAM之间的空挡。

西部数据在二月二十八日的Storage Field Day活动?#22411;?#28431;了其正在开发低延迟闪存(Low-Latency Flash,LLF)的消息。这种技术将填补现在的NAND闪存与内存之间的空白。

西部数据的存储产品解决方案副总裁在这次宣讲会中?#21040;?#35299;说这种闪存芯片不同于现有的NAND闪存,为了实现低延迟,他们定制了这?#20013;?#29255;的Die。但是由于性能提高,所以LLF闪存的价格将比现有NAND闪存价格高三倍,但?#19988;?#27604;内存价格低十倍。所以采用这?#20013;?#29255;的产品价格会更高,应该是面向高端市场的。

而西数在此次讲解?#22411;?#38706;的情况来看LLF闪存在延迟表现上依旧比DRAM差很多,所以无法作为?#19988;资?#24615;内存芯片(non-volatile memory,NVM)。而诸如这种闪存芯片的更具体的内部结构、容量、具体测试数据等,西数并没?#22411;?#28431;很多。而在此之前与西数联合的东芝半导体公布了高性能闪存XL-Flash闪存,同样拥有低延迟特性,所以不知道西数此次讲解的这款LLF闪存是否与东芝有关系。

在高性能闪存市场上,三星的Z-NAND闪存和英特尔的3D-Xpoint系列?#23478;?#32463;有产品推出。但是根据其讲解,西数准备在?#23454;?#30340;时侯再推出这款产品。

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